25 відносини: Hi-End, Hi-Fi, P-n-перехід, Кран (гідравліка), Контактна різниця потенціалів, КМОН, Підсилювальний каскад зі спільним емітером, Підсилювальний каскад зі спільною базою, Підкладка (електроніка), Омічний контакт, Са Чжітан, Транзистор із плавним затвором, Транзистор метал-діелектрик-напівпровідник, Юліус Лілієнфельд, Затвор (електрод), Біполярний транзистор, Вільям Бредфорд Шоклі, Герц, Двовимірний електронний газ, Ємність (електрика), Електрична напруга, Легування (електроніка), 1920-ті, 1930-ті, 1960.
Hi-End
Hi-End (від High End) — маркетинговий термін, яким позначають найвищий («елітний») клас, як правило, звукопідсилюючого апаратного та програмного забезпечення.
Новинка!!: Польовий транзистор і Hi-End · Побачити більше »
Hi-Fi
Високоякісний ламповий підсилювач звукових частот LEAK TL/12. Hi-Fi (англ. High Fidelity — висока точність) — термін, що означає, що відтворюваний звук дуже близький до оригіналу.
Новинка!!: Польовий транзистор і Hi-Fi · Побачити більше »
P-n-перехід
p-n перехід у напівпровідниковому діоді. p-n перехі́д (електронно-дірковий перехід) — область контакту напівпровідників p- та n-типу всередині монокристала напівпровідника, в якій відбувається перехід від одного типу провідності до іншого.
Новинка!!: Польовий транзистор і P-n-перехід · Побачити більше »
Кран (гідравліка)
Промисловий кульовий кран гідравлічних схемах Кран (від kraan) або трубопрові́дний кран — вид запірної арматури, у якому керування потоком здійснюється кутовим зміщенням отвору запірного пристрою навколо осі, що переважно перпендикулярна до осі прохідного отвору корпуса.
Новинка!!: Польовий транзистор і Кран (гідравліка) · Побачити більше »
Контактна різниця потенціалів
Конта́ктна різни́ця потенціа́лів — різниця електростатичних потенціалів, яка виникає при контакті двох різних металів.
Новинка!!: Польовий транзистор і Контактна різниця потенціалів · Побачити більше »
КМОН
251x251пкс КМОН (К-МОН; комплементарна структура метал-оксид-напівпровідник; CMOS, Complementary-symmetry/metal-oxide semiconductor) — технологія побудови логічних електронних схем.
Новинка!!: Польовий транзистор і КМОН · Побачити більше »
Підсилювальний каскад зі спільним емітером
Підсилювальний каскад за схемою зі спільним емітером на основі npn-транзистора Схема зі спільним емітером — схема включення біполярного транзистора як чотириполюсника.
Новинка!!: Польовий транзистор і Підсилювальний каскад зі спільним емітером · Побачити більше »
Підсилювальний каскад зі спільною базою
Підсилювальний каскад за схемою зі спільною базою на основі npn-транзистора Підси́лювальний каска́д зі спі́льною ба́зою (СБ) — одна з трьох типових схем побудови електронних підсилювачів на основі біполярного транзистора.
Новинка!!: Польовий транзистор і Підсилювальний каскад зі спільною базою · Побачити більше »
Підкладка (електроніка)
Пластини (2, 4, 6, 8 дюймів), готові до нарізки Спектральне розділення видимого світла в багатошаровому середовищі 300 мм пластини. Підкладка (wafer) — тонка монокристалічна напівпровідникова пластина, що призначена для створення плівок, гетероструктур, та вирощування монокристалічних шарів за допомогою епітаксії, кристалізації та ін.
Новинка!!: Польовий транзистор і Підкладка (електроніка) · Побачити більше »
Омічний контакт
Омі́чний конта́кт — контакт між металом і напівпровідником або двома напівпровідниками, що характеризується симетричною лінійною вольт-амперною характерисникою.
Новинка!!: Польовий транзистор і Омічний контакт · Побачити більше »
Са Чжітан
Са Чжітан (Chih-Tang (Tom) Sah, 萨支唐, листопад 1932, Пекіні, Китай).
Новинка!!: Польовий транзистор і Са Чжітан · Побачити більше »
Транзистор із плавним затвором
міні МОН-транзи́стор з пла́вним затво́ром (Floating-gate MOSFET, FGMOS) являє собою польовий транзистор, структура якого аналогічна звичайному МДН-транзистору.
Новинка!!: Польовий транзистор і Транзистор із плавним затвором · Побачити більше »
Транзистор метал-діелектрик-напівпровідник
МДН-транзи́стор (MDS-transistor, MOS-transistor) — напівпровідниковий прилад, що як базовий фізичний принцип використовує ефект поля.
Новинка!!: Польовий транзистор і Транзистор метал-діелектрик-напівпровідник · Побачити більше »
Юліус Лілієнфельд
Julius Edgar Lilienfeld Ю́ліус Лілієнфе́льд (також — Ліленфельд; 18 квітня 1881, Львів — 29 серпня 1963, Шарлотт Амалі, Американські Віргінські острови, США) — один із винахідників транзисторів, вчений з України єврейського походження.
Новинка!!: Польовий транзистор і Юліус Лілієнфельд · Побачити більше »
Затвор (електрод)
Затвор — конструктивний елемент, один з електродів польового транзистора, призначений для подачі напруги, яка використовується для керування струмом на витоку і стоку транзистора.
Новинка!!: Польовий транзистор і Затвор (електрод) · Побачити більше »
Біполярний транзистор
|- align.
Новинка!!: Польовий транзистор і Біполярний транзистор · Побачити більше »
Вільям Бредфорд Шоклі
Ві́льям Бре́дфорд Шо́клі (William B. Shockley; 13 лютого 1910, Лондон — 12 серпня 1989) — фізик, дослідник напівпровідників і транзисторів.
Новинка!!: Польовий транзистор і Вільям Бредфорд Шоклі · Побачити більше »
Герц
Герц (позначається Гц, Hz) — одиниця вимірювання в системі SІ частоти періодичних процесів (н-д, коливань), назва якої походить від імені німецького фізика Генріха Герца, першовідкривача електромагнітного випромінювання.
Новинка!!: Польовий транзистор і Герц · Побачити більше »
Двовимірний електронний газ
Двовимірний електронний газ або ДЕГ — електронний газ, в якому частинки можуть рухатися вільно тільки в двох напрямах, а в третьому обмежені потенційною ямою.
Новинка!!: Польовий транзистор і Двовимірний електронний газ · Побачити більше »
Ємність (електрика)
Є́мність — здатність тіла накопичувати електричний заряд.
Новинка!!: Польовий транзистор і Ємність (електрика) · Побачити більше »
Електрична напруга
Напруга (U) на ділянці електричного кола — це різниця потенціалів між двома точками електричного поля та чисельно дорівнює відношенню роботи, яку необхідно виконати для переміщення заряду з однієї точки поля в іншу точку, до величини цього заряду.
Новинка!!: Польовий транзистор і Електрична напруга · Побачити більше »
Легування (електроніка)
кремнію Легува́ння, допува́ння (doping) — процес додавання контрольованих домішок до напівпровідника.
Новинка!!: Польовий транзистор і Легування (електроніка) · Побачити більше »
1920-ті
Без опису.
Новинка!!: Польовий транзистор і 1920-ті · Побачити більше »
1930-ті
Без опису.
Новинка!!: Польовий транзистор і 1930-ті · Побачити більше »
1960
Без опису.
Новинка!!: Польовий транзистор і 1960 · Побачити більше »
Перенаправлення тут:
Field-effect transistor, Канал польового транзистора, Польові транзистори, Обернений затвор.